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  • 机械剥离氧化硅硅基底单层二硫化钼

  • JLC12046

    Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si

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  • 产品信息

中文名称： 机械剥离氧化硅硅基底单层二硫化钼

英文名称： Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si

CAS号： 1317-33-5

包  装： 1片

保质期：  6月常温干燥避光

性  质

形  态： 薄膜

参  数

基  底： 二氧化硅/硅

机械剥离氧化硅硅基底单层二硫化钼氧化层： 300nm

基底尺寸： 10 mmx10 mm

MOS2面积： ＞10 µm2

应  用： 江南纯试剂最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。


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