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  • 单层氮化硼薄膜（HBN）SiO2/Si基底

  • JLC12157

    Monolayer boron nitride film（HBN）

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  • 产品信息

中文名称： 单层氮化硼薄膜（HBN）SiO2/Si基底

英文名称： Monolayer boron nitride film（HBN）

CAS号：7440-42-8

包  装： 4英寸/ 6英寸

参  数

4英寸圆片，SiO2/Si基底

6英寸 圆片，SiO2/Si基底

保质期： 1年常温干燥避光密封保存

性  质

覆盖率： 100%

基  底： SiO2/Si

晶粒尺寸： >4 um

单层氮化硼薄膜（HBN）SiO2/Si基底氧化层： 300 nm

硅： 500 um

应  用： HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。

其他信息： 常温干燥避光密封保存，保存期限1年。

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