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  • CVD氧化硅硅基底单层二硫化钼

  • JLC12415

    Single Layer MoS2 on SiO2/Si

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  • 产品信息

中文名称： CVD氧化硅硅基底单层二硫化钼

英文名称： Single Layer MoS2 on SiO2/Si

CAS号：1317-33-5

包  装： 1 盒

保质期：  6月常温干燥避光

性  质

形  态： 薄膜

CVD氧化硅硅基底单层二硫化钼参  数

基  底： 二氧化硅/硅

基底尺寸： 8 mm*6 mm

氧化层： 300nm

片径范围： 20-50 μm

厚  度： 0.6～0.8 nm

应  用： 江南纯试剂最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询

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